Ziele der Dotierung

Bei der Herstellung von Halbleitern gilt die Dotierung als integraler technologischer Prozess (neben der Abscheidung und dem Ätzen). Sein Hauptzweck besteht darin, die Art der Leitfähigkeit und die Ladungsträgerkonzentration im Halbleiter zu korrigieren, um bestimmte Eigenschaften zu erzielen (um die gewünschte Glätte des pn-Übergangs zu erreichen). Die gebräuchlichsten Elemente für die Dotierung von Silizium sind Phosphor P und Arsen As (zur Erzielung der n-Leitfähigkeit) und Bor B (p-Typ).

Dotierungsverfahren

Heute sind drei verschiedene Dotierungstechniken bekannt: Ionenimplantation, Thermodiffusion und Neutronentransmutationsdotierung.

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